MC62L51216 为 8 Mbit(512 K×16)低功耗异步 SRAM,55/70 ns 双速可选,44-TSOPII 与 48-BGA 小封装,2.7–3.6 V 单电源,待机 ≤ 5 µA,工业级 –40 °C ~ +85 °C。无需刷新与电池即可实现 16 位总线高速随机读写,可为物联网边缘、便携仪表、车载通信等需要大容量、低功耗数据缓存的系统提供高可靠存储方案。
博维逻辑(MCLogic)基于自研 MCRAM™ 架构,量产 NVRAM、SRAM 与存算一体 AI 芯片三大产品线:NVRAM 在 32 Kb–4 Mb 容量内实现纳秒级读写、20 年非易失、无限擦写,提供 SPI/QSPI/并行接口,可直接替代 FRAM/MRAM;SRAM 主打高可靠、低功耗;存算一体芯片把存储与 AI 计算合一,面向边缘高算力场景。公司由此成为国内唯一可规模供货 NVRAM 的厂商。满度科技作为代理商为客户提供多样化存储产品方案。
--低功耗 SRAM--
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp | Download |
| MC62W1024 | 低功耗SRAM | 1M | 128Kx8 | 35/55/70ns | 32SOP/32PDIP/32TSOPI/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W6416 | 低功耗SRAM | 1M | 64Kx16 | 45/55/70ns | 44TSOPII/48 BGA | 暂无 |
| MC62W2568 | 低功耗SRAM | 2M | 256Kx8 | 55/70ns | 32SOP/32TSOPI/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W12816 | 低功耗SRAM | 2M | 128K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62W5128 | 低功耗SRAM | 4M | 512K×8 | 55/70ns | 32SOP/32PDIP/32TSOPI/32TSOPII/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W25616 | 低功耗SRAM | 4M | 256K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L10248 | 低功耗SRAM | 8M | 1M×8 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L51216 | 低功耗SRAM | 8M | 512K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L20488A | 低功耗SRAM | 16M | 2M×8 | 55/70ns | 44TSOPII | 暂无 |
| MC62L102516 | 低功耗SRAM | 16M | 1M×16 | 55/70ns | 48TSOPI | 暂无 |
| MC69L6416A | 低功耗SRAM | 1M | 64Kx16 | 45/55ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC69L25616A | 低功耗SRAM | 4M | 256Kx16 | 45/55ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
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