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随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)

随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

专业代理SRAM、FRAM、NVRAM等存储芯片。与AP、ISSI、富士通、凯芯，博维等品牌深度合作，提供高速低功耗SRAM、高耐久FRAM，NVRAM等产品选型，覆盖商用、工业及车规级应用场景。为客户提供专业选型、快速样品及全方位技术支持。

代理分销产品线

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芯成（ISSI）— 其SRAM 覆盖 64Kb 至 32Mb 容量，支持 BGA、TSOP 等封装，访问速度低至 8ns，适配 2.5V~3.6V 宽电压，车规级型号通过 AEC-Q100 认证，可在 - 40℃至 125℃稳定运行，内置 ECC 纠错技术保障数据安全。工业级产品抗振动、低功耗，适配 5G 基站、工业控制等场景。广泛应用于汽车 ADAS、通信设备及医疗终端，以高可靠性获全球认可。

高速SRAM | 低速SRAM | 并口SRAM | 串口SRAM


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赛普拉斯（CYPRESS）— 其SRAM 覆盖多系列，如 CY7C1071AV33 达 32-Mbit 容量，访问时间低至 10ns；双端口型号支持双处理器同时访问，带仲裁逻辑与中断功能。产品具高速、低功耗特性，待机功耗仅 10μA，支持 3.3V 电压域，适配 PLCC、FBGA 等封装。车规级可在 - 40℃至 125℃运行，广泛应用于网络设备、汽车电子、医疗终端等需高速数据存取的场景。

 eMMC 5.0 |  eMMC 5.1


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富士通（FUJITSU） —是全球 FRAM（铁电存储器）技术领军企业，其FRAM产品兼具高速、高耐久与低功耗优势。覆盖 SPI/I2C 等多接口，如 MB85RC 系列擦写达 10¹² 次（万亿级），较 E²PROM 高万倍，85℃下数据可存 10 年。MB97R804A 等 RFID 专用型号内置 4KByte FRAM，写入速度比 E²PROM 快两个数量级，读写通信距离一致。产品支持与 E²PROM 管脚互换，适配 - 40℃~85℃宽温，广泛应用于智能仪表、汽车电子、航空资产管理等高频读写场景。

3D NAND eMMC | MLC eMMC | pSLC eMMC


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ALLIANCE—其SRAM 为其核心优势产品，覆盖异步、低功耗及伪 SRAM 等多系列。支持 2.7V~5.5V 宽电压，访问时间低至 10ns，待机功耗仅 10mA，适配 TSOP、FBGA 等多种封装。适配 ADAS 与车载系统。产品具高兼容性，可直接替换主流品牌型号，广泛应用于工业控制、通信设备及汽车电子领域。

eMMC 5.0 | eMMC 5.1


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爱普（APmemory）—是 pSRAM（伪静态随机存取存储器）领域领军企业，其 pSRAM 产品性能突出，如超高速（UHS）系列支持 64MB-512MB 容量，DDR 模式下理论带宽达 4266MB/s，速率最高 1066MHz；适配窄电压域，且引脚数比 DRAM 少近 3 倍。产品覆盖 QSP、OPI 等多接口，支持多样封装，广泛应用于物联网、穿戴设备、车载显示等场景。

MLC eMMC | pMLC eMMC | pSLC eMMC


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凯芯（Cascsde Teq）—是专注高性能存储芯片的设计企业，pSRAM（伪静态随机存储器）为其核心产品，技术实力突出。旗下 pSRAM 覆盖 OPI、UHB 等系列，容量 32Mb-512Mb，支持 1.8V/3.3V 电压，适配 BGA、QFN 等紧凑封装。如 CSS12804SU-O 型号带宽达 2.1Gbps，厚度仅 0.8mm，适配智能穿戴超薄设计；CSS1604S 以 144MHz 速率赋能实时视频缓存。车规级通过 AEC 认证，耐 - 40℃~105℃宽温，广泛应用于 AIoT、车载电子、智能穿戴等场景。

MLC eMMC | TLC eMMC


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博维逻辑（MCLogic）—专注高性能非易失性随机存取存储器（nvSRAM）研发与产业化，其 nvSRAM 覆盖 32Kb~4Mb，SPI/QSPI 接口，读写速度达 108MHz，掉电保护时间扩展至 50ms。车规级通过 AEC‑Q100 认证，可在‑40℃~105℃稳定运行，无需电池即可实现高速实时数据持久化，在汽车电子、工业控制、电力、轨道交通等领域已批量应用。

MLC eMMC | TLC eMMC


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