MC62W25616 为 4 Mbit(256 K×16)低功耗异步 SRAM,55/70 ns 双速可选,44-TSOPII 与 48-BGA 小尺寸封装,2.7–3.6 V 单电源,待机电流 ≤ 5 µA,工业级 –40 °C ~ +85 °C。无需刷新与电池即可实现 16 位总线高速随机读写,是物联网边缘节点、便携仪表、车载通信模块等需要低功耗、大带宽数据缓存的理想选择。
博维逻辑(MCLogic),即上海博维逻辑半导体技术有限公司,2016年由半导体领域资深专家创立,获微软首任CTO创立基金及创东方等知名基金投资;核心团队汇聚国内外顶尖高校人才,创始人曾任职IBM并获多项殊荣,成员均具国际半导体企业经验。公司专注先进存储技术研发,拥有数十项专利,自主MCRAM架构融合闪存与RAM特性,可提升带宽、速度并降低功耗,以此开发出SRAM(高速低耗、无限擦写,应用于通讯等领域)、NVSRAM(新增非易失性,适用于关键基础设施等)、AI存算一体加速芯片(面向边缘计算,支持主流AI架构)三大类产品,在VR、物联网、车载等场景中,产品性能与性价比优势显著,如VR领域的MC62W12816 SRAM、电力监控终端的NVRAM等均优于传统方案。未来博维逻辑将持续加大研发,致力于成为存储领域领导者,而满度科技作为其授权代理商,提供选型、技术咨询及样品服务,助力产品高效落地各行业
--低功耗 SRAM--
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp | Download |
| MC62W1024 | 低功耗SRAM | 1M | 128Kx8 | 35/55/70ns | 32SOP/32PDIP/32TSOPI/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W6416 | 低功耗SRAM | 1M | 64Kx16 | 45/55/70ns | 44TSOPII/48 BGA | 暂无 |
| MC62W2568 | 低功耗SRAM | 2M | 256Kx8 | 55/70ns | 32SOP/32TSOPI/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W12816 | 低功耗SRAM | 2M | 128K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62W5128 | 低功耗SRAM | 4M | 512K×8 | 55/70ns | 32SOP/32PDIP/32TSOPI/32TSOPII/32sTSOP/36BGA | 暂无 |
| MC62W25616 | 低功耗SRAM | 4M | 256K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L10248 | 低功耗SRAM | 8M | 1M×8 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L51216 | 低功耗SRAM | 8M | 512K×16 | 55/70ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC62L20488A | 低功耗SRAM | 16M | 2M×8 | 55/70ns | 44TSOPII | 暂无 |
| MC62L102516 | 低功耗SRAM | 16M | 1M×16 | 55/70ns | 48TSOPI | 暂无 |
| MC69L6416A | 低功耗SRAM | 1M | 64Kx16 | 45/55ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC69L25616A | 低功耗SRAM | 4M | 256Kx16 | 45/55ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
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