MC61L5128A是博维逻辑推出的一款4Mb高速SRAM,采用512K×8位组织结构,提供10ns或12ns访问时间。该芯片工作电压为3.3V,采用44引脚TSOP-II封装,支持工业级温度范围(-40℃至85℃)。其全静态设计无需刷新电路,具备高速数据存取能力,适用于网络通信设备的数据缓冲、工业控制系统的实时数据处理以及汽车电子等对速度要求严苛的场景。
博维逻辑(MCLogic)于2016年由半导体领域资深专家创立,总部位于上海且多地设子公司,获微软首任CTO创立基金及创东方等知名基金投资,核心创始人拥有耶鲁大学博士学位、曾任职IBM并获“发明大师”称号,团队成员均来自国内外顶尖高校且具备国际半导体企业经验;公司专注先进存储技术研发,拥有数十项专利,自主研发的MCRAM存储架构融合闪存与随机存取存储器特性,能提升存储带宽、读写速度并降低功耗,有效消除“存储墙”,可广泛应用于多领域;基于该架构,公司推出三大类优势产品:SRAM高速低耗且可无限次擦写,服务通讯等市场;NVSRAM兼具SRAM优势与非易失性,解决关键领域断电数据存储问题;AI存算一体加速芯片适配AI边缘计算,支持主流AI架构且低耗高效,且部分产品如VR领域的MC62W12816、车载场景的2M NVRAM,在性能、环境适应性等方面均优于传统方案。满度科技作为代理商为客户提供多样化存储产品方案。
--高速 SRAM--
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp | Download |
| MC61L10248A | 高速SRAM | 8M | 1Mx8 | 8/10ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC61L6416 | 高速SRAM | 1M | 64Kx16 | 10/12/15ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC61L2568A | 高速SRAM | 2M | 256Kx8 | 8/10ns | 44TSOPII | 暂无 |
| MC61L12816A | 高速SRAM | 2M | 128Kx16 | 8/10ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC61L5128A | 高速SRAM | 4M | 512Kx8 | 10/12ns | 44TSOPII | 暂无 |
| MC61L25616A | 高速SRAM | 4M | 256Kx16 | 8/10ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC61L51216A | 高速SRAM | 8M | 512Kx16 | 8/10ns | 44TSOPII/48BGA | 暂无 |
| MC61L102416A | 高速SRAM | 16M | 1Mx16 | 10/12ns | 48TSOPI/48BGA | 暂无 |
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