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富士通一级代理铁电存储MB85RS4MTPF-G-BCE1

MB85RS4MTPF-G-BCE1

MB85RS4MTPF-G-BCE1

  • 制造商: FUJITSU(富士通)
  • 批号: NEWS
  • 封装: SOP-8
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富士通MB85RS4MTPF-G-BCE1铁电fram芯片使用工业标准串行外设接口SPI及其传输规约进行双向传输,它最大可以达到20MHZ的操作速度。并且可以像RAM一样快速读写,低功耗:工作电源电流1.5毫安、微待机电流,数据在掉电后可以保存10年,能以总线速度进行写操作,无须延时、无须等待时间。当数据被移入芯片后,下一个总线周期可以立刻开始而无须进行数轮循。富士通铁电存储器使用高速SPI接口增强了铁电技术的高速写数据能力。其具有比其它非易失性存储器高得多的读写操作次数,可以承受超过一万亿次的读写操作(而新开发的MB85RS1MT等提高到10万亿次)。

富士通半导体的FRAM具有非易失性、低功耗、高速烧写、高读写耐久性、随机存取等特点。富士通半导体掌握着FRAM的整个生产程序,保证FRAM产品的高质量和稳定供应。自1999年以来,FRAM产品已经连续供应15年以上,为很多客户提供高可靠的FRAM产品。FRAM因其能够做到实时记录数据、减少功耗、提高数据安全性等优势,正迅速占领智能电表\水表\气表领域、工业控制、工业自动化及医疗电子等市场领域,富士通总代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。

---512KX8 FeRAM--

Part NumberDensityOrg.Pkg.VoltageTemp
MB85RQ4ML4Mbit512Kx8SOP-161.7 to 1.9VIndustrial
MB85RQ4MLPF-G-BCE14Mbit512Kx8SOP-161.7 to 1.9VIndustrial
MB85RQ4MLPF-G-BCERE14Mbit512Kx8SOP-161.7 to 1.9VIndustrial
MB85RS4MLY4Mbit512Kx8SOP-81.7 to 1.9VAEC-Q100
MB85RS4MLYPF-G-BCE14Mbit512Kx8SOP-81.7 to 1.9VAEC-Q100
MB85RS4MLYPF-G-BCERE14Mbit512Kx8SOP-81.7 to 1.9VAEC-Q100
MB85RS4MT4Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VIndustrial
MB85RS4MTPF-G-BCE14Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VIndustrial
MB85RS4MTPF-G-BCERE14Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VIndustrial
MB85RS4MTY4Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VAEC-Q100
MB85RS4MTYPF-G-BCE14Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VAEC-Q100
MB85RS4MTYPF-G-BCERE14Mbit512Kx8SOP-81.8 to 3.6VAEC-Q100



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