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cypress赛普拉斯总代理FRAM Memory非易失性铁电存储器FM25V10-GTR

FM25V10-GTR

FM25V10-GTR

  • 制造商: cypress
  • 批号: NEWS
  • 封装: DSO-8
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Cypress赛普拉斯的FRAM Memory芯片FM25V10-GTR采用Cypress高性能CMOS技术进行开发,可提供快速访问时间(8-12ns),能够作为各种应用领域的理想高性能解决方案。快速异步SRAM产品组合提供从64Kb到最高32Mb的密度范围。快速SRAM可提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。Cypress快速异步SRAM适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。是一款高性能的铁电存储器(FRAM),具有非易失性、低功耗和快速访问等特点。它广泛应用于嵌入式系统、汽车电子、工业控制、消费电子和医疗设备等多个领域,为这些领域的设备提供了稳定可靠的数据存储解决方案。

Cypress的低功耗步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合,密度范围从64Kb至64Mb。低功耗SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗(最大)规格。低功耗异步SRAM是各种应用中电池供电解决方案的理想选择。MoBL SRAM装置适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。Cypress一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。

---128KbX8 FRAM---

Part NumberDensityOrg.Pkg.VoltageTemp
FM24V10-G1Mbit128Kx8VQFN-81.8V-40~85
FM24V10-GTR1Mbit128Kx8VQFN-81.8V-40~85
FM24VN10-G1Mbit128Kx8VQFN-81.8V-40~85
FM24VN10-GTR1Mbit128Kx8VQFN-81.8V-40~85
FM25V10-G1Mbit128Kx8DSO-82-3.6V-40~85
FM25V10-GTR1Mbit128Kx8DSO-82-3.6V-40~85
FM25V10-PG1Mbit128Kx8TSOP-442.7-3.6V-40~85
FM25VN10-G1Mbit128Kx8DIP-82.7-3.6V-40~85
FM25VN10-GTR1Mbit128Kx8DSO-82.7-3.6V-40~85
FM28V102A-TG1Mbit64Kbx16VQFN-83-3.6V-40~105
FM28V102A-TGTR1Mbit64Kbx16DSO-83-3.6V-40~85
FM28V100-TG1Mbit64Kbx16TSOP-443-3.6V-40~85
FM28V100-TGTR1Mbit64Kbx16TSOP-443-3.6V-40~85
CY15B101N-ZS60XA1Mbit64Kbx16USON-83-3.6V-40~85
CY15B101N-ZS60XAT1Mbit64Kbx16DSO-83-3.6V-40~85

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