cypress赛普拉斯总代理FRAM Memory芯片CY15B104QN-20LPXC
CY15B104QN-20LPXC
Cypress赛普拉斯的FRAM Memory芯片CY15B104QN-20LPXC采用Cypress高性能CMOS技术进行开发，可提供快速访问时间(8-12ns)，能够作为各种应用领域的理想高性能解决方案。快速异步SRAM产品组合提供从64Kb到最高32Mb的密度范围。快速SRAM可提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。Cypress快速异步SRAM适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。是一款高性能的铁电存储器（FRAM），具有非易失性、低功耗和快速访问等特点。它广泛应用于嵌入式系统、汽车电子、工业控制、消费电子和医疗设备等多个领域，为这些领域的设备提供了稳定可靠的数据存储解决方案。
Cypress的低功耗步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合，密度范围从64Kb至64Mb。低功耗SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗（最大）规格。低功耗异步SRAM是各种应用中电池供电解决方案的理想选择。MoBL SRAM装置适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。Cypress一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。
---512KbX8 FRAM---
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
| CY15B104QI-20LPXC | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -0~70 |
| CY15B104QI-20LPXCT | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -0~70 |
| CY15B104QI-20LPXI | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104QI-20LPXIT | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104Q-LHXI | 4Mbit | 512Kbx8 | WSON-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104Q-LHXIT | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104QN-50SXI | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104QN-50SXIT | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-14 | 1.8-3.6V | -40~85 |
| CY15B104QN-50SXA | 4Mbit | 512Kbx8 | DSO-8 | 1.8-3.6V | -40~85 |