驰拓Hikstor代理 非易失性 MRAM HS1M3SCD8IBT
HS1M3SCD8IBT
驰拓科技（Hikstor）成立于2016年，是国内MRAM新型非易失存储芯片研发与量产领域的领军高新技术企业。公司专注于高端非易失性存储芯片技术攻关与产业化，依托自主核心技术与先进量产工艺，为汽车电子、工业控制、物联网等行业提供高性能、高可靠、国产化MRAM存储解决方案。 公司拥有国际先进的12英寸28nm MRAM工艺量产中试线，建立了从芯片设计、工艺开发、可靠性测试到规模化量产的完整体系，可稳定交付高品质、一致性强的量产产品，具备成熟的产品迭代与批量供货能力。 独立式MRAM存储芯片 驰拓核心主打独立式MRAM标准化量产芯片，可直接适配各类主控与终端设备，即插即用、兼容性强，可全面替代传统SRAM、Flash等存储方案，有效解决传统存储速度慢、寿命低、温漂大、数据易丢失的痛点。 产品融合SRAM高速读写与Flash非易失存储双重优势，具备纳秒级极速写入、万亿次超高擦写寿命，断电数据永久保存，无需额外备份电路，大幅简化硬件设计、降低整机功耗与维护成本。同时支持-40℃至125℃超宽温稳定工作，在极端高低温工况下仍可保持读写稳定、数据可靠。 全系产品已通过AEC-Q100 Grade1最高等级车规认证，拥有高抗干扰、高可靠性、低功耗的产品特性，可充分满足车载、工业等高严苛场景的长期稳定运行要求。
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