FRAM（铁电随机存取存储器）相较 SRAM 具备本质性优势：无需定时刷新即可实现非易失性存储，断电后数据持久留存，无需搭配后备电池，同时兼具 SRAM 级高速读写性能（写入时间＜10ms）与 10¹² 次超高 P/E 循环耐久度，功耗仅为 SRAM 的 1/400 以下，从根源上解决了 SRAM 易失性与高功耗的核心痛点，为关键数据存储提供更稳定的保障。
在众多 FRAM 产品中，富士通 FUJITSU MB85RS128TYPNF-G-AWE2 凭借精准的参数设计与车规级可靠性，成为关键领域的优选方案。该产品为 128Kbit（16K×8）存储架构，采用 SOP-8 紧凑封装，支持 1.8-3.6V 宽压输入，核心亮点在于通过 AEC-Q100 车规认证，可适配 - 40℃至 125℃的严苛工作环境。相较于常规 128Kbit FRAM 普遍的 2.7-3.6V 电压范围，其宽压特性更适配低功耗设备与车载宽电压系统；常规 FRAM 多满足工业级温度标准，而该车规认证使其在车载电磁干扰、温度剧烈波动等场景下仍保持稳定，同时 SOP-8 封装比同类产品的 SOIC-8 封装更利于 PCB 布局优化，减少空间占用。
该芯片已广泛应用于车载与工业核心场景：在车载电池管理系统（BMS）中，可稳定存储电芯电压、温度等参数，断电不丢失数据；在事故数据记录器（EDR）中，超高耐久度可耐受高频数据写入，确保碰撞瞬间关键数据完整留存；在工业传感器与 GPS 接收器中，宽压低功耗设计适配不同供电场景，高速读写能力保障定位数据与传感数据的实时存储。作为富士通 FUJITSU 官方授权代理商，满度科技为客户提供全流程支持，从前期选型评估、技术方案答疑，到后期电路设计参考与免费样品申请，全方位助力项目高效推进，降低研发成本与周期。
富士通 FUJITSU MB85RS128TYPNF-G-AWE2 以非易失性、高耐久、车规级可靠的核心优势，完美契合车载、工业等关键领域对数据存储的严苛要求，搭配满度科技的本地化技术服务，为客户打造从产品选型到量产落地的全链路保障，是高可靠存储场景的理想选择。
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