随着物联网（IoT）终端设备数量激增，无线Wi-Fi模组、BLE蓝牙模组、NB-IoT模组作为设备联网的核心设备，设备内部的存储方案有严苛的需求，在各种品牌的存储芯片中，串行NOR Flash这种类型的产品因支持XIP接口模式、低延迟读取和高可靠性，目前是大多数通信模组固件存储的选择。然而传统NOR Flash存储芯片在功耗、擦写寿命和接口速度上的局限，正成为制约终端智能化升级的瓶颈。
武汉新芯推出的 XM25QU128CHIQT08Q 128Mbit大容量NOR FLASH存储芯片可作为华邦 W25Q128JVSIQ 的兼容替代方案。
物联网模组对NOR Flash的需求不同与消费类手机或电脑，设备对于频繁的OTA要求存储器具备高擦写耐久性，通常需超过10万次，大量电池供电设备比如传感器、智能穿戴等产品对低功耗极为敏感，选型中会较为关注待机电流，另外为实现快速联网，模组需在上电后迅速加载通信协议栈，就需要通过NOR Flash的高速读取能力以避免连接延迟，存储芯片还需满足小封装、高集成度和引脚兼容等设计要求。相比之下，部分传统NOR Flash因仅支持低速SPI接口、擦写寿命不足5万次以及待机功耗偏高等短板，已难以满足新一代物联网模组的综合性能需求。
XM25QU128CHIQT08Q 关键参数
1. 高速接口支持，提升系统响应效率
支持 Quad SPI 与 XPI模式，读取带宽可达 133 MHz ，兼容 XIP 功能，允许MCU直接从Flash执行代码，省去SRAM缓存步骤，缩短启动时间；
实测表明，在Wi-Fi模组中加载轻量级RTOS+协议栈，冷启动时间可控制在200ms以内，优于部分仅支持Dual SPI的竞品。
注：XPI并非行业通用标准，需确认主控芯片（如ESP32、nRF52840）是否支持该模式。
2. 耐久性与数据保持能力
标称 擦写次数10万次以上，数据保持期大于20年。
对比华邦 W25Q128JVSIQ（同样标称10万次），两者在寿命指标上基本持平；
内置 ECC机制，可在轻微位翻转时自动修复，提升长期运行可靠性。
3. 低功耗设计适配电池场景
待机电流典型值低于10，读取电流约 12 mA ；
支持深度掉电模式，可进一步将电流降至1μA以下，适合间歇唤醒型设备比如温湿度传感器。
4. 封装与兼容性
采用 8-pin SOIC（208mil）封装，与W25Q128JVSIQ物理引脚兼容；
电压范围 2.7V–3.6V，；
提供 OTP一次性可编程，可用于存储设备唯一ID或安全密钥，增强固件防篡改能力。
XM25QU128CHIQT08Q与W25Q128JVSIQ的对比如下
型号 | XM25QU128CHIQT08Q | W25Q128JVSIQ |
容量 | 128Mbit (16MB) | 128Mbit |
接口 | SPI / Quad / XPI | SPI / Quad / QPI |
最高频率 | 133 MHz (Quad) | 133 MHz (Quad) |
擦写寿命 | 100k cycles | 100k cycles |
待机电流 | ≤10 μA | ≤10 μA |
OTP支持 | 是 | 是 |
国产化 | 是 | 否 |
在性能参数上，性能高度接近。XM25QU128CHIQT08Q 的主要优势在于国产供应链保障与本地技术支持响应速度。
XM25QU128CHIQT08Q高度兼容华邦 W25Q128JVSIQ，在容量、引脚布局、电气特性和指令集等关键维度实现无缝替换。这一特性显著降低了模组厂商的切换门槛——无需修改硬件设计或大幅调整固件驱动，即可快速导入国产器件。
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