Everspin磁电存储MR2A16AVYS35R
芯片特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3
MRAM是一种持久型、非易失性的内存存储器,即使在断电的情况下,它也会依靠速度和随机存取存储器(RAM)的耐力保存信息,使关键任务数据得到保护,尤其是在电源中断或故障的情况下,该MRAM产品使其客户在工业、汽车、运输以及企业中的存储市场拥有高性能,高效率,高可靠的系统,而不需要笨重的电池或电容器。2006年Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。目前Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子等领域,EVERSPIN一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。
---256KX16 & 512KX8 Parallel MRAM--
Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
MR2A08ACMA35 | 4Mb | 512Kx8 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
MR2A08ACMA35R | 4Mb | 512Kx8 | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
MR2A08ACYS35 | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
MR2A08ACYS35R | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
MR2A08AMA35 | 4Mb | 512Kx8 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
MR2A08AMA35R | 4Mb | 512Kx8 | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
MR2A08AMYS35 | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 |
MR2A08AMYS35R | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 |
MR2A08AYS35 | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
MR2A08AYS35R | 4Mb | 512Kx8 | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
MR2A16ACMA35 | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
MR2A16ACMA35R | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
MR2A16ACYS35 | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
MR2A16ACYS35R | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
MR2A16AMA35 | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
MR2A16AMA35R | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
MR2A16AMYS35 | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3V | AEC-Q100 |
MR2A16AMYS35R | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 |
MR2A16AVMA35 | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3V | Extended |
MR2A16AVMA35R | 4Mb | 256Kx16 | 48-BGA | 3.3v | Extended |
MR2A16AVYS35 | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3V | Extended |
MR2A16AVYS35R | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3v | Extended |
MR2A16AYS35 | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
MR2A16AYS35R | 4Mb | 256Kx16 | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
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