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EverspinmRAM磁电存储器MR3A16ACYS35R

MR3A16ACYS35R

MR3A16ACYS35R

  • 制造商: Everspin
  • 批号: NEWS
  • 封装: 54-TSOP2
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EverspinmRAM磁电存储器MR3A16ACYS35R

芯片特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3

MRAM是一种持久型、非易失性的内存存储器,即使在断电的情况下,它也会依靠速度和随机存取存储器(RAM)的耐力保存信息,使关键任务数据得到保护,尤其是在电源中断或故障的情况下,该MRAM产品使其客户在工业、汽车、运输以及企业中的存储市场拥有高性能,高效率,高可靠的系统,而不需要笨重的电池或电容器。2006年Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。目前Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子等领域,EVERSPIN一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。

---512KX16 Parallel MRAM--

Part NumberDensityOrg.Pkg.VoltageTemp
MR3A16AMA35R8Mb512Kx1648-BGA3.3vCommercial
MR3A16AMA358Mb512Kx1648-BGA3.3vCommercial
MR3A16ACMA358Mb512Kx1648-BGA3.3vIndustrial
MR3A16ACMA35R8Mb512Kx1648-BGA3.3vIndustrial
MR3A16ACYS35R8Mb512Kx1654-TSOP23.3vIndustrial
MR3A16AUYS45R8Mb512Kx1654-TSOP23.3vAutomotive
MR3A16AUYS458Mb512Kx1654-TSOP23.3vAutomotive
MR3A16ACYS358Mb512Kx1654-TSOP23.3vIndustrial
MR3A16AYS358Mb512Kx1654-TSOP23.3vCommercial
MR3A16AYS35R8Mb512Kx1654-TSOP23.3vCommercial


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