Everspinmram存储器MR25H10CDC
Everspinmram存储器MR25H10CDC
芯片特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3
MRAM是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下，该MRAM产品使其客户在工业、汽车、运输以及企业中的存储市场拥有高性能，高效率，高可靠的系统，而不需要笨重的电池或电容器。2006年Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。目前Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子等领域，EVERSPIN一级代理满度科技为客户提供多样化存储产品方案。
---128KX8 SPI MRAM--
| Part Number | Density | Org. | Pkg. | Voltage | Temp |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN | 3.3V | Industrial |
| MR25H10CDCR | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN | 3.3v | Industrial |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN sf | 3.3V | Industrial |
| MR25H10CDFR | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 |
| MR25H10MDCR | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 |
| MR25H10MDFR | 1Mb | 128Kx8 | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 |
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